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中瑞祥廠家場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀使用方法注意事項(xiàng)

注意事項(xiàng)

    1、開(kāi)機(jī)前應(yīng)把Idm開(kāi)關(guān)和壓開(kāi)關(guān)撥在OFF 位上。

    2、測(cè)量Idm 和Gfs 時(shí)須插好被測(cè)管，夾好S2 夾頭后方可打開(kāi) Idm 測(cè)量開(kāi)關(guān)，測(cè)量畢后須關(guān)斷Idm開(kāi)關(guān)，才可松開(kāi)S2 鱷魚(yú)夾頭。不允許在沒(méi)有關(guān)閉Idm開(kāi)關(guān)時(shí)就去松開(kāi)S2 鱷魚(yú)夾頭，這樣會(huì)產(chǎn)生大電流火花，很容易損壞被測(cè)器件。

    3、測(cè)量 Idm1 時(shí)電流表讀數(shù)可能會(huì)有飄移，電流越大相對(duì)飄移也越大，這是被測(cè)管發(fā)熱所至，系正?，F(xiàn)象，可以采用快速讀數(shù)或等其熱穩(wěn)定后再讀數(shù)（用于大電流致性測(cè)量時(shí)更需要采用快數(shù)讀數(shù)的方法）。 般N 溝導(dǎo)管電流的熱飄移，數(shù)字表讀數(shù)會(huì)逐漸增大；P 溝導(dǎo)管的熱飄移，數(shù)字表讀數(shù)會(huì)逐漸減小。 若被測(cè)管在測(cè)試Idm1 電流時(shí)數(shù)字表尾數(shù)讀數(shù)無(wú)規(guī)則的波動(dòng)，不同于熱飄移，則應(yīng)考慮可能是該器件內(nèi)噪聲過(guò)大所致。

    4、標(biāo)稱電流大的器件在 Idm1 電位器調(diào)節(jié)時(shí)，電流會(huì)調(diào)節(jié)到80A 以上，但這個(gè)電流值并不適宜用作跨導(dǎo)的測(cè)量，也不適宜用作大電流的致性配對(duì)，因?yàn)樵陔娏鬟^(guò) 60A 后測(cè)量誤差將明顯增加，測(cè)量的讀數(shù)也變的很不穩(wěn)定。

    5、測(cè)量VDSS 和VGS(th)時(shí)，壓開(kāi)關(guān)須撥在OFF 位上，測(cè)量時(shí)須采用VDSS 和 VGS(th)按鈕測(cè)量。

    6、當(dāng)Idm電流過(guò)約30A 左右時(shí)，儀器內(nèi)可能會(huì)產(chǎn)生輕微的噠、噠、噠的聲音，系正?，F(xiàn)象。

    7、測(cè)試盒的插座系易損品，使用中應(yīng)輕插輕拔，要盡可能的延長(zhǎng)插座的使用壽命，禁止管腳十分毛糙的器件插入管座中，對(duì)這些管腳毛糙的器件應(yīng)整平打光后再測(cè)試，但采用測(cè)試線測(cè)量法（測(cè)試線測(cè)量法見(jiàn)附圖）。 儀器的附件中有四個(gè)插座附件，損壞后可按測(cè)試盒接線圖自行更換，插座附件系通用接插件，用后可以到電子市場(chǎng)購(gòu)買。

    8、兩根粗的測(cè)試線上的香蕉插頭和鱷魚(yú)夾頭，須有良好的彈性，以保持較小的接觸電阻，當(dāng)彈性減弱時(shí)須行修理或更換。

9、儀器使用畢后應(yīng)把Idm開(kāi)關(guān)和壓開(kāi)關(guān)撥在OFF 位上。

使用方法

    打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)前應(yīng)檢查：Idm開(kāi)關(guān)和壓開(kāi)關(guān)應(yīng)撥在OFF 位置上。

    1、塑封率場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試： 按五條：“測(cè)試盒和附加測(cè)試線"的說(shuō)明，連接好場(chǎng)效應(yīng)管專用測(cè)試盒和專用的兩根粗的附加測(cè)試線。

    (1)、擊穿電壓 VDSS 和柵開(kāi)啟電壓 VGS（th)的測(cè)量：根據(jù)被測(cè)管測(cè)量 VDSS 和 VGS （th)的術(shù)條件，選擇好Idss 開(kāi)關(guān)上的電流值（在不知道測(cè)試條件時(shí)般是MOS 率場(chǎng)效應(yīng)管選擇250uA，IGBT 選擇1mA）。把壓開(kāi)關(guān)撥至ON，調(diào)節(jié)“壓調(diào)節(jié)"電位器使數(shù)字表顯示在大于被測(cè)器件擊穿電壓的 130[%]-150[%]左右，測(cè)試時(shí)只要擊穿示燈亮了就說(shuō)明電壓已經(jīng)夠了，反之則再調(diào)些也無(wú)仿，注意：調(diào)好后須把“壓"開(kāi)關(guān)關(guān)斷（OFF 位置上）。

    把被測(cè)的場(chǎng)效應(yīng)管插入VDSS /VGS（th)測(cè)試座（注意：不管是TO-220 或TO-3P 封裝的，都須把中間的D 對(duì)應(yīng)的插入插座中間孔“D"中）。若測(cè)VDSS 則把測(cè)試盒右測(cè)開(kāi)關(guān)撥至 VDSS 位，然后按下儀器右下方的 VDSS 按鈕，電壓表立即顯示該被測(cè)管的擊穿電壓值。再把測(cè)試盒開(kāi)關(guān)撥至VGS(th)位,按下儀器右下方的VGS(th)按鈕，電壓表立即顯示該被測(cè)管的柵開(kāi)啟電壓值，般在2 - 6V 范圍內(nèi)。

    例：IRFZ44N測(cè)試VDSS 和VGS(th)時(shí)的Idss 電流要求為250uA，所以把Idss 開(kāi)關(guān)撥至250uA, 把測(cè)試盒開(kāi)關(guān)撥至VDSS，按下VDSS 測(cè)量按鈕，電壓表顯示為60V，再把測(cè)試盒開(kāi)關(guān)撥至 VGS(th)，按下VGS(th)測(cè)量按鈕，電壓表顯示為2.5V。 測(cè)試結(jié)果為：擊穿電壓VDSS = 60V，柵開(kāi)啟電壓VDS(th) = 2.5V 。

    (2)、跨導(dǎo)Gfs 的測(cè)試：測(cè)試跨導(dǎo)Gfs 時(shí)須使用兩根粗的附加測(cè)試線，并根據(jù)五條3 點(diǎn)的要求連接好，測(cè)試前儀器右上角的Idm開(kāi)關(guān)須撥在OFF 上。 插上被側(cè)管，并把S2 線的鱷魚(yú)夾頭，夾住被測(cè)管的S1 腳根（注意：不要和D 短路）。把Idm開(kāi)關(guān)撥至ON，會(huì)看到短路示燈亮后即滅，機(jī)內(nèi)的蜂鳴器響后又停，屬正?，F(xiàn)象。 后調(diào)節(jié)脈沖電流Idm1 粗調(diào)和細(xì)調(diào)電位器，至被測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試Gfs 參數(shù)時(shí)的電流值，當(dāng)數(shù)字基本穩(wěn)定后按下脈沖電流 Idm2 測(cè)試按鈕，并讀取電流值。（分常用率場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試參數(shù)請(qǐng)參照后面的參數(shù)表）

    本儀器跨導(dǎo)Gfs 的計(jì)算方法：S = （Idm2 - Idm1）×10，般用心算即可讀取。

    例：IRFZ44N 測(cè)試跨導(dǎo)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電流要求為25A，則粗細(xì)調(diào)節(jié)Idm1 為25.0A，當(dāng)按下Idm2 按鈕時(shí)電流顯示為27.3A，則該管的跨導(dǎo)S = （27.3 - 25.0）×10 = 23 。 測(cè)試畢后須把Idm開(kāi)關(guān)關(guān)斷（撥至OFF）方可更換另管子。 正宗某公司生產(chǎn)的同型號(hào)同批次的管子，其跨導(dǎo)參數(shù)的離散性般較小，測(cè)試時(shí)用抽檢方式即可。

    (3)、大電流條件下 ID 致性測(cè)試（即配對(duì)）：該方法主要用于批同型號(hào)同的場(chǎng)效應(yīng)管，在柵壓不變的條件下，測(cè)試其大電流ID 的致性。 由于率場(chǎng)效應(yīng)管在同柵壓條件下輸出的ID 值往往有很大的離散性，即使是同公司生產(chǎn)的同批次管子也不能保證其 ，對(duì)于不同公司生產(chǎn)的同型號(hào)管子其 ID 的差別有時(shí)候會(huì)相差很大，所以大電流條件下ID 致性測(cè)試，是用于多個(gè)并聯(lián)應(yīng)用或推挽應(yīng)用電路中很重要的步。（測(cè)試操作方法同跨導(dǎo)測(cè)試法的Idm1 電流測(cè)量）。 致性測(cè)試前請(qǐng)選擇好參考樣管。

    2、塑封率IGBT 管的測(cè)試： 塑封率IGBT 管的測(cè)試方法和測(cè)試率場(chǎng)效應(yīng)管相同，所不同的僅是引出腳的名稱和被測(cè)參數(shù)的符號(hào)有區(qū)別。

    （ 率場(chǎng)效應(yīng)管 ） （IGBT 管） 漏源擊穿電壓：VDSS 集發(fā)擊穿電壓： V(BR)CES 柵開(kāi)啟電壓：VGS(th) 柵開(kāi)啟電壓： VGE(th) 漏源漏電流：Idss 集發(fā)漏電流：Ices 漏電流：ID 集電電流：IC 跨導(dǎo)：Gfs 跨導(dǎo)：Gfs 漏：D 集電：C 柵：G 柵：G 源 ： S 發(fā)射：E

    3、其它封裝形式的率場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT 管的測(cè)試： 本儀器提供的測(cè)試盒主要用于TO-126、TO-220、TO-3P 等封裝形式的場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT 管的測(cè)試用，對(duì)于非上述封裝形式的器件（包括模塊型），本儀器提供有測(cè)試線，也同樣可以行參數(shù)的測(cè)量,具體的連接方法請(qǐng)參照“測(cè)試線測(cè)量法連接圖"。

    4、其它更大標(biāo)稱電流和率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT 的測(cè)試： 雖然本儀器對(duì)器件的標(biāo)稱電流和率的測(cè)量范圍界定在約85A/300W以內(nèi)，那是根據(jù)器件廠家在術(shù)條件上所規(guī)定的測(cè)量要求而已，實(shí)際上當(dāng)你所使用的器件出本儀器的界定范圍以外時(shí)，儀器同樣可以行Idm=50A 的條件下測(cè)試跨導(dǎo)參數(shù)，同樣可以測(cè)量VDSS 和Vgs(th)。

    5、各類晶體三管、二管擊穿電壓的測(cè)試，穩(wěn)壓管、壓敏電阻電壓的測(cè)試等： 測(cè)量各類晶體三管、二管的擊穿電壓，穩(wěn)壓管、壓敏電阻電壓時(shí)的方法請(qǐng)看“測(cè)試線測(cè)量法